창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP120N06S4H1AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx120N06S4-H1 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP120N06S4-H1 IPP120N06S4-H1-ND SP000415698 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP120N06S4H1AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP120N06S, IPP120N06S4H1AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | HT55AN103GN | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.100" W(5.08mm x 2.54mm) | HT55AN103GN.pdf | |
![]() | C18593 | C18593 AMI DIP | C18593.pdf | |
![]() | F3AA018E-18VDC | F3AA018E-18VDC FT DIP | F3AA018E-18VDC.pdf | |
![]() | HIF3BA-20D-2.54C | HIF3BA-20D-2.54C HRS HIF3BA-20D-2.54C | HIF3BA-20D-2.54C.pdf | |
![]() | EPM7812SLC84-15 | EPM7812SLC84-15 ALTERA QFP | EPM7812SLC84-15.pdf | |
![]() | SCD0504T-4R7M | SCD0504T-4R7M YAGEO SMD | SCD0504T-4R7M.pdf | |
![]() | 2A1314 | 2A1314 TOSHIBA SOT89 | 2A1314.pdf | |
![]() | C7170-011 | C7170-011 OKI QFP | C7170-011.pdf | |
![]() | PCV002505 | PCV002505 PERICOM A59 | PCV002505.pdf | |
![]() | 2.2NF 50V 0402 K | 2.2NF 50V 0402 K ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.2NF 50V 0402 K.pdf | |
![]() | RA2-10V101ME3 | RA2-10V101ME3 ELNA DIP | RA2-10V101ME3.pdf |