창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP120N06S4H1AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx120N06S4-H1 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP120N06S4-H1 IPP120N06S4-H1-ND SP000415698 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP120N06S4H1AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP120N06S, IPP120N06S4H1AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D361GXBAJ | 360pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D361GXBAJ.pdf | |
| 7446121010 | 10mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 700mA DCR 550 mOhm | 7446121010.pdf | ||
![]() | ERA-8AEB64R9V | RES SMD 64.9 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB64R9V.pdf | |
![]() | RT2404B7TR13 | RES NTWRK 18 RES 25 OHM 36LBGA | RT2404B7TR13.pdf | |
![]() | HHV1WSJR-73-10M | RES 10M OHM 1W 5% AXIAL | HHV1WSJR-73-10M.pdf | |
![]() | CMF60R13000GNEB | RES 0.13 OHM 1W 2% AXIAL | CMF60R13000GNEB.pdf | |
| SI1153-AA00-GMR | Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I²C 10-WFQFN | SI1153-AA00-GMR.pdf | ||
![]() | L9337MD/TR | L9337MD/TR STM SMD or Through Hole | L9337MD/TR.pdf | |
![]() | LM393G | LM393G UTC SOP8 | LM393G.pdf | |
![]() | siov-cn1812k40g | siov-cn1812k40g epcos SMD or Through Hole | siov-cn1812k40g.pdf | |
![]() | SKIIP10NAB063T1 | SKIIP10NAB063T1 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKIIP10NAB063T1.pdf |