창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP120N06S403AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx120N06S4-03 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 167W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP120N06S4-03 IPP120N06S4-03-ND SP000396380 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP120N06S403AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP120N06S, IPP120N06S403AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 8Q24070001 | 24MHz ±10ppm 수정 10pF -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Q24070001.pdf | |
![]() | S3DHE3_A/I | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | S3DHE3_A/I.pdf | |
![]() | 2SK666 | 2SK666 ORIGINAL TO-263 | 2SK666.pdf | |
![]() | MT404004JDJ | MT404004JDJ ORIGINAL SOJ-24 | MT404004JDJ.pdf | |
![]() | L10061 | L10061 HAMAMATSU DIP-2DIP-3DIP4 | L10061.pdf | |
![]() | 5000-8P-1.5E | 5000-8P-1.5E HYUPJIN IOCONNECTOR | 5000-8P-1.5E.pdf | |
![]() | ADP3331ART-ADJ | ADP3331ART-ADJ AD SOT23-6 | ADP3331ART-ADJ.pdf | |
![]() | AT29C202-90PC | AT29C202-90PC ATMEL DIP32 | AT29C202-90PC.pdf | |
![]() | HCB2012K-601T20 | HCB2012K-601T20 BW SMD or Through Hole | HCB2012K-601T20.pdf | |
![]() | SN74CBTD3384DBR CC384 | SN74CBTD3384DBR CC384 TEXAS SMD or Through Hole | SN74CBTD3384DBR CC384.pdf | |
![]() | 0402-224Z | 0402-224Z ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-224Z.pdf | |
![]() | SRSB-50TV80 | SRSB-50TV80 Bel SOPDIP | SRSB-50TV80.pdf |