창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP120N04S402AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx120N04S4-02 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 110µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 134nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10740pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 158W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP120N04S4-02 IPP120N04S4-02-ND SP000764734 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP120N04S402AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP120N04S, IPP120N04S402AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D100MLBAJ | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D100MLBAJ.pdf | |
![]() | RG3216V-4221-W-T1 | RES SMD 4.22KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-4221-W-T1.pdf | |
![]() | BU77700KVT | BU77700KVT BOHM QFP | BU77700KVT.pdf | |
![]() | BAS82 | BAS82 NXP SOD34 | BAS82.pdf | |
![]() | U25D40C | U25D40C MOP TO-3P | U25D40C.pdf | |
![]() | LH79525NOQ | LH79525NOQ SHARP Tube 60 | LH79525NOQ.pdf | |
![]() | EM639165TS/VM-XXI | EM639165TS/VM-XXI ETRON SMD or Through Hole | EM639165TS/VM-XXI.pdf | |
![]() | 218S4RBSA21 | 218S4RBSA21 ATI BGA | 218S4RBSA21.pdf | |
![]() | BBREG103U30 | BBREG103U30 SANXIN SMD | BBREG103U30.pdf | |
![]() | HM1-7643M-8 | HM1-7643M-8 ORIGINAL CDIP | HM1-7643M-8.pdf | |
![]() | 74F651DC | 74F651DC NSC SMD or Through Hole | 74F651DC.pdf | |
![]() | ADP3301ARZ-REEL7-5 | ADP3301ARZ-REEL7-5 AD Original | ADP3301ARZ-REEL7-5.pdf |