창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP100N08S2L07AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP100N08S2L-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 246nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP100N08S2L-07 IPP100N08S2L-07-ND SP000219052 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP100N08S2L07AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP100N08S2, IPP100N08S2L07AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1E7R7DA01D | 7.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E7R7DA01D.pdf | |
![]() | 45J33R | RES 33 OHM 5W 5% AXIAL | 45J33R.pdf | |
![]() | C1809 | C1809 HIT TO-92 | C1809.pdf | |
![]() | LT1490CN8#PBF | LT1490CN8#PBF LINEAR DIP | LT1490CN8#PBF.pdf | |
![]() | LP2966-2828 | LP2966-2828 NSC TSSOP | LP2966-2828.pdf | |
![]() | S111733P | S111733P AUK TO-220F | S111733P.pdf | |
![]() | UPD64011BGM-8ED-Y | UPD64011BGM-8ED-Y NEC TQFP-160P | UPD64011BGM-8ED-Y.pdf | |
![]() | SPI-4RD-225L | SPI-4RD-225L Sejin PowerInductor | SPI-4RD-225L.pdf | |
![]() | BZX84C12T P2 | BZX84C12T P2 ZTJ SOT-523 | BZX84C12T P2.pdf | |
![]() | 74HC4066G | 74HC4066G NEC/SOP SMD or Through Hole | 74HC4066G.pdf | |
![]() | HD6433644RD98H | HD6433644RD98H RENESAS QFP-64P | HD6433644RD98H.pdf | |
![]() | R2164 | R2164 CMAL SMD or Through Hole | R2164.pdf |