창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP100N04S4H2AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx100N04S4-H2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 70µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP100N04S4-H2 IPP100N04S4-H2-ND SP000711278 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP100N04S4H2AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP100N04S, IPP100N04S4H2AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RCP2512W16R0GEB | RES SMD 16 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W16R0GEB.pdf | |
![]() | CMF654R9900FKBF11 | RES 4.99 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF654R9900FKBF11.pdf | |
![]() | NJL3281D | NJL3281D ON TO-3PL-5 | NJL3281D.pdf | |
![]() | BUW4508DZ | BUW4508DZ PHILIPS TO-220F | BUW4508DZ.pdf | |
![]() | 17000A 10 B1 | 17000A 10 B1 Volex SMD or Through Hole | 17000A 10 B1.pdf | |
![]() | 34690 | 34690 EIA PLCC-84 | 34690.pdf | |
![]() | CD74HC174ME4 | CD74HC174ME4 Micrium TI | CD74HC174ME4.pdf | |
![]() | LLA35VB222M16X31LL | LLA35VB222M16X31LL NIPPON SMD or Through Hole | LLA35VB222M16X31LL.pdf | |
![]() | BA6819 | BA6819 ROHM SOP8 | BA6819.pdf | |
![]() | APQW1B99D-R | APQW1B99D-R ORIGINAL SMD or Through Hole | APQW1B99D-R.pdf | |
![]() | LQS100A48-1V2RE | LQS100A48-1V2RE artesyn SMD or Through Hole | LQS100A48-1V2RE.pdf | |
![]() | K6F8016U6D-XF70000 | K6F8016U6D-XF70000 SAMSUNG BGA48 | K6F8016U6D-XF70000.pdf |