창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N04S303AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx100N04S3-03 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N04S3-03 IPP100N04S3-03-ND IPP100N04S303 SP000261227 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP100N04S303AKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N04S, IPP100N04S303AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RBR2L60BTE25 | DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDS | RBR2L60BTE25.pdf | |
![]() | IPD65R600E6BTMA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | IPD65R600E6BTMA1.pdf | |
![]() | H878K7BCA | RES 78.7K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H878K7BCA.pdf | |
![]() | 04FMS-1.0SP-TF(LF)(SN) | 04FMS-1.0SP-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 04FMS-1.0SP-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | LT1498I | LT1498I ORIGINAL SOP-8 | LT1498I.pdf | |
![]() | STM8S207S8T6 | STM8S207S8T6 ST TQFP44 | STM8S207S8T6.pdf | |
![]() | MD82C2846 | MD82C2846 INA DIP | MD82C2846.pdf | |
![]() | G6BK-1114C-12VDC | G6BK-1114C-12VDC OMRON SMD or Through Hole | G6BK-1114C-12VDC.pdf | |
![]() | 275VAC0.33UF 334K | 275VAC0.33UF 334K TC SMD or Through Hole | 275VAC0.33UF 334K.pdf | |
![]() | NBJB226M010CRSB08 | NBJB226M010CRSB08 AVX SMD or Through Hole | NBJB226M010CRSB08.pdf | |
![]() | 2N5630G. | 2N5630G. ON TO-3 | 2N5630G..pdf |