창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N04S204AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB,IPP100N04S2-04 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 172nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N04S2-04 IPP100N04S2-04-ND SP000219056 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP100N04S204AKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N04S, IPP100N04S204AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 511RCA-AAAG | 100kHz ~ 124.999MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 26mA Enable/Disable | 511RCA-AAAG.pdf | |
![]() | MH3276 | MH3276 ORIGINAL DIP8 | MH3276.pdf | |
![]() | SY100S811EC | SY100S811EC ORIGINAL SMD or Through Hole | SY100S811EC.pdf | |
![]() | R2A20290FP#GO GOB8 | R2A20290FP#GO GOB8 RENESAS QFP-100 | R2A20290FP#GO GOB8.pdf | |
![]() | NCC069B50000 | NCC069B50000 SARONIX SMD or Through Hole | NCC069B50000.pdf | |
![]() | FH162900 | FH162900 ORIGINAL SMD or Through Hole | FH162900.pdf | |
![]() | 8-167555-1 | 8-167555-1 AMP ORIGINAL | 8-167555-1.pdf | |
![]() | TG10G-S102NJRL | TG10G-S102NJRL HALO SMD or Through Hole | TG10G-S102NJRL.pdf | |
![]() | TESVHA1A225M8R | TESVHA1A225M8R NECTOKIN SMD or Through Hole | TESVHA1A225M8R.pdf |