창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP100N04S204AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP100N04S2-04 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 172nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP100N04S2-04 IPP100N04S2-04-ND SP000219056 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP100N04S204AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP100N04S, IPP100N04S204AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SE70PBHM3_A/H | DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A | SE70PBHM3_A/H.pdf | |
![]() | LSM845J/TR13 | DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB | LSM845J/TR13.pdf | |
![]() | PM105SB-331K-RC | 330µH Shielded Wirewound Inductor 370mA 1.2 Ohm Max Nonstandard | PM105SB-331K-RC.pdf | |
![]() | RE0402FRE07510KL | RES SMD 510K OHM 1% 1/16W 0402 | RE0402FRE07510KL.pdf | |
![]() | B647CTZ-E-Q | B647CTZ-E-Q HITACHI TO-92L | B647CTZ-E-Q.pdf | |
![]() | LT3570EUF#TRPBF | LT3570EUF#TRPBF LT QFN-20 | LT3570EUF#TRPBF.pdf | |
![]() | LB1205 | LB1205 SANYO DIP-18 | LB1205.pdf | |
![]() | BZV55C15.115 | BZV55C15.115 NXP LL34-SOP-80C | BZV55C15.115.pdf | |
![]() | MAX5061 | MAX5061 MAXIM TSSOP | MAX5061.pdf | |
![]() | SMQ180VS821M25X30T2 | SMQ180VS821M25X30T2 ORIGINAL DIP | SMQ180VS821M25X30T2.pdf | |
![]() | FJX3014RTF TEL:82766440 | FJX3014RTF TEL:82766440 FAI SOT-323 | FJX3014RTF TEL:82766440.pdf |