창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP093N06N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP090,093N06N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP093N06N3 G IPP093N06N3 G-ND IPP093N06N3G SP000680852 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP093N06N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP093N06N, IPP093N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-.327-6-17X-TR | 32.768kHz ±20ppm 수정 6pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 5.50mm 피치 | ECS-.327-6-17X-TR.pdf | |
![]() | GP1UE282YKVF | RECEIVER IR REM CTRL 3V 36.7KHZ | GP1UE282YKVF.pdf | |
![]() | F731675GFN | F731675GFN ORIGINAL SMD or Through Hole | F731675GFN.pdf | |
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![]() | LQG21N3R3K04T1 | LQG21N3R3K04T1 MURATA SMD or Through Hole | LQG21N3R3K04T1.pdf | |
![]() | 2SC3513 TEL:82766440 | 2SC3513 TEL:82766440 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC3513 TEL:82766440.pdf | |
![]() | SAB8276-2-P | SAB8276-2-P SIEMENS DIP-40 | SAB8276-2-P.pdf | |
![]() | 3366W-1-105 | 3366W-1-105 BOURNS DIP3 | 3366W-1-105.pdf |