창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP083N10N5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP083N10N5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 73A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 49µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001226036 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP083N10N5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP083N10, IPP083N10N5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
P51-50-G-I-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-G-I-M12-4.5OVP-000-000.pdf | ||
DS276S+ | DS276S+ MAXIM SOP-8 | DS276S+.pdf | ||
BU4834FVE-TR | BU4834FVE-TR ROHM SOT23-5 | BU4834FVE-TR.pdf | ||
SMD 74HC595D | SMD 74HC595D PHI SMD or Through Hole | SMD 74HC595D.pdf | ||
SST29EE010-150-4C-NHE | SST29EE010-150-4C-NHE SST SMD or Through Hole | SST29EE010-150-4C-NHE.pdf | ||
TAJJ335M006RNJ | TAJJ335M006RNJ AVX SMD | TAJJ335M006RNJ.pdf | ||
B57891M0154J000 | B57891M0154J000 EPCOS DIP-2 | B57891M0154J000.pdf | ||
IP4059CX5/LF.135 | IP4059CX5/LF.135 NXP SMD or Through Hole | IP4059CX5/LF.135.pdf | ||
1000v203 | 1000v203 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1000v203.pdf | ||
PRF26F R22J | PRF26F R22J AUK NA | PRF26F R22J.pdf | ||
SFTLA10M7FA00-B0 | SFTLA10M7FA00-B0 MURATA SMD or Through Hole | SFTLA10M7FA00-B0.pdf | ||
DG2732DQ-T1-E3 | DG2732DQ-T1-E3 ORIGINAL MSOP | DG2732DQ-T1-E3.pdf |