창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP065N03LGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)065N03L G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 28/Feb/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP065N03L G IPP065N03LG IPP065N03LGIN IPP065N03LGIN-ND IPP065N03LGXK SP000254736 SP000680818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP065N03LGXKSA1 | |
관련 링크 | IPP065N03, IPP065N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ1808A220JBEAT4X | 22pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A220JBEAT4X.pdf | |
![]() | ID9302-33A50R. | ID9302-33A50R. IDESYN SMD or Through Hole | ID9302-33A50R..pdf | |
![]() | 3PN1005 | 3PN1005 Infineon TO-220 | 3PN1005.pdf | |
![]() | RP131S121B5 | RP131S121B5 ROHM SMD or Through Hole | RP131S121B5.pdf | |
![]() | MGR-1 D4890 | MGR-1 D4890 MAGER NEW | MGR-1 D4890.pdf | |
![]() | M548332-30TX | M548332-30TX OKI TSOP | M548332-30TX.pdf | |
![]() | ES2898F | ES2898F ESS QFP | ES2898F.pdf | |
![]() | C8231A/B | C8231A/B INTEL CDIP24 | C8231A/B.pdf | |
![]() | SDF111119 | SDF111119 ORIGINAL SMD or Through Hole | SDF111119.pdf | |
![]() | P83CE558EFB/067 | P83CE558EFB/067 PHILIPS QFP-80P | P83CE558EFB/067.pdf |