창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP065N03LGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)065N03L G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 28/Feb/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP065N03L G IPP065N03LG IPP065N03LGIN IPP065N03LGIN-ND IPP065N03LGXK SP000254736 SP000680818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP065N03LGXKSA1 | |
관련 링크 | IPP065N03, IPP065N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
LMH730227/NOPB | LMH730227/NOPB NSC 8-SOIC | LMH730227/NOPB.pdf | ||
1N5879 | 1N5879 ORIGINAL DIP | 1N5879.pdf | ||
6-216393-0 | 6-216393-0 AMP con | 6-216393-0.pdf | ||
BA00BC0WF | BA00BC0WF ROHM SOP8L | BA00BC0WF.pdf | ||
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wyj-m510-3 | wyj-m510-3 WYJ SMD or Through Hole | wyj-m510-3.pdf | ||
B57221V2152J060 | B57221V2152J060 EPCOS SMD or Through Hole | B57221V2152J060.pdf | ||
2SC5084-Y/MCY | 2SC5084-Y/MCY ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC5084-Y/MCY.pdf | ||
RJ80536/1.2/2M/400 | RJ80536/1.2/2M/400 Intel BGA | RJ80536/1.2/2M/400.pdf | ||
D5201C* | D5201C* NEC DIP-16P | D5201C*.pdf |