Infineon Technologies IPP065N03LGXKSA1

IPP065N03LGXKSA1
제조업체 부품 번호
IPP065N03LGXKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
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내부 부품 번호EIS-IPP065N03LGXKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IP(B,P)065N03L G
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 28/Feb/2014
카탈로그 페이지 1613 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.5m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2400pF @ 15V
전력 - 최대56W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지PG-TO220-3-1
표준 포장 500
다른 이름IPP065N03L G
IPP065N03LG
IPP065N03LGIN
IPP065N03LGIN-ND
IPP065N03LGXK
SP000254736
SP000680818
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPP065N03LGXKSA1
관련 링크IPP065N03, IPP065N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPP065N03LGXKSA1 의 관련 제품
LMH730227/NOPB NSC 8-SOIC LMH730227/NOPB.pdf
1N5879 ORIGINAL DIP 1N5879.pdf
6-216393-0 AMP con 6-216393-0.pdf
BA00BC0WF ROHM SOP8L BA00BC0WF.pdf
EZ1117CST-2.85TR SEMTECH SOT-223 EZ1117CST-2.85TR.pdf
TCT1016 TOSHIBA DIP-28 TCT1016.pdf
wyj-m510-3 WYJ SMD or Through Hole wyj-m510-3.pdf
B57221V2152J060 EPCOS SMD or Through Hole B57221V2152J060.pdf
2SC5084-Y/MCY ORIGINAL SMD or Through Hole 2SC5084-Y/MCY.pdf
RJ80536/1.2/2M/400 Intel BGA RJ80536/1.2/2M/400.pdf
D5201C* NEC DIP-16P D5201C*.pdf