창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP062NE7N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP062NE7N3G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 73A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3840pF @ 37.5V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP062NE7N3 G IPP062NE7N3 G-ND IPP062NE7N3G SP000819768 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP062NE7N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP062NE7N, IPP062NE7N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D1R6BLBAJ | 1.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R6BLBAJ.pdf | |
![]() | GRM43R5C1H133JD01L | 0.013µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | GRM43R5C1H133JD01L.pdf | |
![]() | GTCA38-351M-R10-FS | GDT 350V 20% 10KA T/H FAIL SHORT | GTCA38-351M-R10-FS.pdf | |
![]() | CZ5354B TR | DIODE ZENER 17V 5W DO201 | CZ5354B TR.pdf | |
![]() | CRCW06033M74FKEA | RES SMD 3.74M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06033M74FKEA.pdf | |
![]() | AD6654XBC | AD6654XBC ADI BGA | AD6654XBC.pdf | |
![]() | 88SA8040-T8C1 | 88SA8040-T8C1 M QFP | 88SA8040-T8C1.pdf | |
![]() | CZRB2015-G | CZRB2015-G COMCHIP SMB DO-214AA | CZRB2015-G.pdf | |
![]() | L186EC | L186EC INTEL SMD or Through Hole | L186EC.pdf | |
![]() | ADS5240IPAPT | ADS5240IPAPT TI HTQFP | ADS5240IPAPT.pdf | |
![]() | 28F256K3C120 | 28F256K3C120 INTEL BGA79 | 28F256K3C120.pdf | |
![]() | UMX-364-D16-G | UMX-364-D16-G RFMD vco | UMX-364-D16-G.pdf |