창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP057N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx054,57N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP057N08N3 G IPP057N08N3 G-ND IPP057N08N3G SP000680810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP057N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP057N08N, IPP057N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MPI4040R1-1R5-R | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 3A 60 mOhm 1816 (4540 Metric) | MPI4040R1-1R5-R.pdf | ||
MCU08050C6203FP500 | RES SMD 620K OHM 1% 1/5W 0805 | MCU08050C6203FP500.pdf | ||
RT1206CRB074K32L | RES SMD 4.32KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB074K32L.pdf | ||
CRCW12065R90FKTA | RES SMD 5.9 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12065R90FKTA.pdf | ||
CMF60191K00FHEK | RES 191K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60191K00FHEK.pdf | ||
MIC2019YM6 TEL:82766440 | MIC2019YM6 TEL:82766440 MIC SMD or Through Hole | MIC2019YM6 TEL:82766440.pdf | ||
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T493C226K020CH | T493C226K020CH KEMET SMD or Through Hole | T493C226K020CH.pdf | ||
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