창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP057N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx054,57N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP057N08N3 G IPP057N08N3 G-ND IPP057N08N3G SP000680810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP057N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP057N08N, IPP057N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LKG1J472MESCCK | 4700µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 85°C | LKG1J472MESCCK.pdf | |
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![]() | 19207-12258809Z | 19207-12258809Z HARRSIL CDIP | 19207-12258809Z.pdf | |
![]() | 3X157BPB | 3X157BPB IMI DIP20 | 3X157BPB.pdf | |
![]() | LM2734ZS | LM2734ZS NS LLP | LM2734ZS.pdf | |
![]() | APL5883-25D | APL5883-25D ORIGINAL SOT-89 | APL5883-25D.pdf | |
![]() | 293D105X9035BB2T | 293D105X9035BB2T AXElite SMD or Through Hole | 293D105X9035BB2T.pdf | |
![]() | 10H553/BEAJC | 10H553/BEAJC MOTOROLA CDIP | 10H553/BEAJC.pdf | |
![]() | DM81LS95AJ | DM81LS95AJ NS CDIP | DM81LS95AJ.pdf |