창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP057N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx054,57N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP057N08N3 G IPP057N08N3 G-ND IPP057N08N3G SP000680810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP057N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP057N08N, IPP057N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ETC809TUC | ETC809TUC ETC SOT23 | ETC809TUC.pdf | ||
CMD9816 | CMD9816 ORIGINAL PLCC | CMD9816.pdf | ||
M61538FP_ | M61538FP_ MIT DIP | M61538FP_.pdf | ||
DSC507F. | DSC507F. DSC DIP28 | DSC507F..pdf | ||
APA2120 | APA2120 ANPEC TSSOP24P | APA2120.pdf | ||
MIC2289-15YMLTR | MIC2289-15YMLTR MICREL MLF22 | MIC2289-15YMLTR.pdf | ||
GP130AAMQWMLPET | GP130AAMQWMLPET ORIGINAL SMD or Through Hole | GP130AAMQWMLPET.pdf | ||
IP4035CX8.135 | IP4035CX8.135 PHILIPS BGA | IP4035CX8.135.pdf | ||
RFU02VSSS | RFU02VSSS ROHM DIPSOP | RFU02VSSS.pdf | ||
GD16556A 100BA ECL | GD16556A 100BA ECL ORIGINAL TQFP | GD16556A 100BA ECL.pdf | ||
NJ88C29PRNPTE | NJ88C29PRNPTE GPS SSOP | NJ88C29PRNPTE.pdf |