창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP057N06N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx054,57N06N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 58µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP057N06N3 G IPP057N06N3 G-ND IPP057N06N3G SP000680808 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP057N06N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP057N06N, IPP057N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRT155C8YA224ME01D | 0.22µF 35V 세라믹 커패시터 X6S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRT155C8YA224ME01D.pdf | |
![]() | MCH155A090DK | 9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | MCH155A090DK.pdf | |
![]() | LT4356CS-3#TRPBF | IC SURGE STOPPER ADJ 16-SOIC | LT4356CS-3#TRPBF.pdf | |
![]() | ERA-6AEB48R7V | RES SMD 48.7 OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB48R7V.pdf | |
![]() | Y09265R00000B0L | RES 5 OHM 8W 0.1% TO220-4 | Y09265R00000B0L.pdf | |
![]() | S2D10R | S2D10R Minmax SMD or Through Hole | S2D10R.pdf | |
![]() | AR1010-S85QFGTO | AR1010-S85QFGTO ORIGINAL QFN-24 | AR1010-S85QFGTO.pdf | |
![]() | BYV42F-150 | BYV42F-150 PH TO- | BYV42F-150.pdf | |
![]() | ICM110T-C | ICM110T-C ICM LCC | ICM110T-C.pdf | |
![]() | RVJ-35V470MG10U-R | RVJ-35V470MG10U-R ELNA SMD or Through Hole | RVJ-35V470MG10U-R.pdf |