창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP048N04NGXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP048N04N G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP048N04N G IPP048N04N G-ND IPP048N04NG SP000648308 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP048N04NGXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP048N04, IPP048N04NGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 102R15N470KV4E | 47pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 102R15N470KV4E.pdf | |
![]() | 3640CC474KATRE | 0.47µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 3640(9110 미터법) 0.360" L x 0.402" W(9.14mm x 10.20mm) | 3640CC474KATRE.pdf | |
![]() | T151RC40 | T151RC40 ORIGINAL T0-209ABSCR | T151RC40.pdf | |
![]() | TD62003 | TD62003 TOSHIBA SMD | TD62003.pdf | |
![]() | ME010B1 | ME010B1 AT&T SMD or Through Hole | ME010B1.pdf | |
![]() | UPC1525C | UPC1525C NEC DIP22 | UPC1525C.pdf | |
![]() | AM29LV800DT-90SC | AM29LV800DT-90SC AMD SOP | AM29LV800DT-90SC.pdf | |
![]() | 2-406372-2 | 2-406372-2 ATMEL SMD or Through Hole | 2-406372-2.pdf | |
![]() | CY2318ANZPVC-1/11 | CY2318ANZPVC-1/11 CYP SOP48W | CY2318ANZPVC-1/11.pdf | |
![]() | DF13-7P-1.25DSA(**) | DF13-7P-1.25DSA(**) Hirose SMD or Through Hole | DF13-7P-1.25DSA(**).pdf |