창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP045N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP045N10N3 G IPP045N10N3 G-ND IPP045N10N3G SP000680794 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP045N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP045N10N, IPP045N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | UWT1H101MNR1GS | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | UWT1H101MNR1GS.pdf | |
![]() | AMK107BJ225MV-T | 2.2µF 4V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | AMK107BJ225MV-T.pdf | |
![]() | CRGH2512F5K23 | RES SMD 5.23K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F5K23.pdf | |
![]() | 2MX16 | 2MX16 MX SMD or Through Hole | 2MX16.pdf | |
![]() | STD55NH2LLT4 | STD55NH2LLT4 ST TO-251-3 | STD55NH2LLT4.pdf | |
![]() | FXO52AF4-02-A0-LB0-L | FXO52AF4-02-A0-LB0-L IKANOSTM BGA | FXO52AF4-02-A0-LB0-L.pdf | |
![]() | CS5394 | CS5394 CS SOP28 | CS5394.pdf | |
![]() | EB2-12NUH | EB2-12NUH NEC SMD or Through Hole | EB2-12NUH.pdf | |
![]() | GU(Code)1S26 | GU(Code)1S26 Precision SMD or Through Hole | GU(Code)1S26.pdf | |
![]() | SPC5517EBMLQ66 | SPC5517EBMLQ66 FREESCALE SMD or Through Hole | SPC5517EBMLQ66.pdf | |
![]() | 39-30-2045 | 39-30-2045 MOLEX SMD or Through Hole | 39-30-2045.pdf | |
![]() | SM5806S | SM5806S NPC SOP28 | SM5806S.pdf |