창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP034NE7N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 155µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8130pF @ 37.5V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP034NE7N3 G IPP034NE7N3 G-ND IPP034NE7N3G SP000641724 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP034NE7N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP034NE7N, IPP034NE7N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | DPM2P47K-F | 0.47µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | DPM2P47K-F.pdf | |
![]() | 42103C-R | 10.2µH Unshielded Toroidal Inductor 15.4A 6 mOhm Max Nonstandard | 42103C-R.pdf | |
![]() | R1150H020DT1FB | R1150H020DT1FB RICOH SMD or Through Hole | R1150H020DT1FB.pdf | |
![]() | 50YK470M10x20 | 50YK470M10x20 Rubycon DIP | 50YK470M10x20.pdf | |
![]() | MEM517C | MEM517C INTERSIL SMD or Through Hole | MEM517C.pdf | |
![]() | MC33286DWR2 | MC33286DWR2 FREESCALE SOP-20 | MC33286DWR2.pdf | |
![]() | KSR2010TA | KSR2010TA FSC TO92 | KSR2010TA.pdf | |
![]() | NH0002CH | NH0002CH NS CAN | NH0002CH.pdf | |
![]() | ISMB5920BT3 | ISMB5920BT3 ON sop | ISMB5920BT3.pdf | |
![]() | 1N5380D | 1N5380D MICROSEMI SMD | 1N5380D.pdf | |
![]() | PJSD05LCFN2 | PJSD05LCFN2 PANJIT DFN2.R | PJSD05LCFN2.pdf |