창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP032N06N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB029N06N3G, IPI/IPP032N06N3G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 118µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP032N06N3 G IPP032N06N3 G-ND IPP032N06N3G SP000680770 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP032N06N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP032N06N, IPP032N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BCW60DE6327HTSA1 | TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 | BCW60DE6327HTSA1.pdf | |
![]() | 2SK3019TL | MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 | 2SK3019TL.pdf | |
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![]() | SD0312 | SD0312 DAEHAN SMD or Through Hole | SD0312.pdf | |
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![]() | ILQ620-1109 | ILQ620-1109 ORIGINAL SMD or Through Hole | ILQ620-1109.pdf | |
![]() | ADS6424IRGC25 | ADS6424IRGC25 TI ADS6424IRGC25 | ADS6424IRGC25.pdf | |
![]() | TMS32E17JDL | TMS32E17JDL TI DIP | TMS32E17JDL.pdf | |
![]() | T491C476K020A | T491C476K020A KEMET SMD | T491C476K020A.pdf |