창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP029N06N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP029N06N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 75µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP029N06NAKSA1 SP000917404 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP029N06N | |
| 관련 링크 | IPP029, IPP029N06N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FDP86363_F085 | MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 | FDP86363_F085.pdf | |
![]() | CMF5531R600DHWF | RES 31.6 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5531R600DHWF.pdf | |
![]() | C5-12 | C5-12 ACR SMD or Through Hole | C5-12.pdf | |
![]() | MC74F243J | MC74F243J MOT DIP | MC74F243J.pdf | |
![]() | TGP2102 | TGP2102 Triquint SMD or Through Hole | TGP2102.pdf | |
![]() | 0402-330P | 0402-330P ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-330P.pdf | |
![]() | 2N757 | 2N757 MOT CAN3 | 2N757.pdf | |
![]() | SN74LS182N | SN74LS182N MOT DIP16 | SN74LS182N.pdf | |
![]() | EKRE6R3ELL150MD05D | EKRE6R3ELL150MD05D NIPPONCHEMI-COM DIP | EKRE6R3ELL150MD05D.pdf | |
![]() | 428150012 | 428150012 ORIGINAL SMD or Through Hole | 428150012.pdf | |
![]() | AR40-HZL110-87-640 | AR40-HZL110-87-640 ORIGINAL SMD or Through Hole | AR40-HZL110-87-640.pdf | |
![]() | Q3-2113UGH | Q3-2113UGH MAXIM QFN-20 | Q3-2113UGH.pdf |