창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP029N06N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP029N06N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 75µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP029N06NAKSA1 SP000917404 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP029N06N | |
| 관련 링크 | IPP029, IPP029N06N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C100C2GACTU | 10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C100C2GACTU.pdf | |
![]() | ASTMHTD-14.7456MHZ-AC-E-T | 14.7456MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-14.7456MHZ-AC-E-T.pdf | |
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![]() | HIP6614IB | HIP6614IB INTERSIL SOP-8 | HIP6614IB.pdf | |
![]() | CEP125-100 | CEP125-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | CEP125-100.pdf | |
![]() | CA45A D 1UF50V M | CA45A D 1UF50V M ORIGINAL SMD or Through Hole | CA45A D 1UF50V M.pdf | |
![]() | LXT384EB B1 | LXT384EB B1 INTEL BGA | LXT384EB B1.pdf | |
![]() | MC68HC68THP | MC68HC68THP MOT SMD or Through Hole | MC68HC68THP.pdf | |
![]() | 2CW20B | 2CW20B CHINA SMD or Through Hole | 2CW20B.pdf | |
![]() | BB669 E6327 | BB669 E6327 INFINEON SOD323 | BB669 E6327.pdf | |
![]() | HT6116 | HT6116 ORIGINAL SOP24 | HT6116.pdf | |
![]() | SM4445TESV-40.0M | SM4445TESV-40.0M PLETRONICS SMD | SM4445TESV-40.0M.pdf |