창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP023N08N5AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP023N08N5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 208µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 166nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12100pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001132482 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP023N08N5AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP023N08, IPP023N08N5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D2R2BXCAJ | 2.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R2BXCAJ.pdf | |
![]() | BYV10EX-600PQ | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F | BYV10EX-600PQ.pdf | |
![]() | SMBZ5940B-E3/52 | DIODE ZENER 43V 3W DO214AA | SMBZ5940B-E3/52.pdf | |
![]() | BUK9M53-60EX | MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK | BUK9M53-60EX.pdf | |
![]() | PS-40PE-D4T1-M1E | PS-40PE-D4T1-M1E JAE SMD or Through Hole | PS-40PE-D4T1-M1E.pdf | |
![]() | 15246040 | 15246040 molex SMD or Through Hole | 15246040.pdf | |
![]() | TC59S6416 | TC59S6416 TOSHIBA TSOP | TC59S6416.pdf | |
![]() | MMX-E-2A823JT | MMX-E-2A823JT TDK 1812 | MMX-E-2A823JT.pdf | |
![]() | IDT6V40088CNBGI | IDT6V40088CNBGI IDT SMD or Through Hole | IDT6V40088CNBGI.pdf | |
![]() | KIA735AF-RTF | KIA735AF-RTF KEC SMD or Through Hole | KIA735AF-RTF.pdf | |
![]() | SN10525713 | SN10525713 ORIGINAL SMD or Through Hole | SN10525713.pdf | |
![]() | DA08-11EWA | DA08-11EWA kingbright PB-FREE | DA08-11EWA.pdf |