창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPL65R1K0C6SATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPL65R1K0C6S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ C6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 328pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34.7W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | Thin-PAK(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001163084 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPL65R1K0C6SATMA1 | |
관련 링크 | IPL65R1K0C, IPL65R1K0C6SATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
S0603-33NG2B | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-33NG2B.pdf | ||
RH4-5085-000 | RH4-5085-000 JAPAN SMD or Through Hole | RH4-5085-000.pdf | ||
ABR39 | ABR39 NO SMD or Through Hole | ABR39.pdf | ||
53C1030 CO | 53C1030 CO LSI BGA | 53C1030 CO.pdf | ||
DM54LS165J/883C | DM54LS165J/883C NS QQ- | DM54LS165J/883C.pdf | ||
V846ME29-LF | V846ME29-LF Z-COMM SMD or Through Hole | V846ME29-LF.pdf | ||
T218N18TOF | T218N18TOF EUEPC module | T218N18TOF.pdf | ||
NT6862-50004 | NT6862-50004 NQVATEK SMD or Through Hole | NT6862-50004.pdf | ||
MSP3405D | MSP3405D Micronas SMD or Through Hole | MSP3405D.pdf | ||
ST7579 | ST7579 Sitronix COG | ST7579.pdf | ||
API3VR26-792 | API3VR26-792 ACBEL SMD or Through Hole | API3VR26-792.pdf | ||
D509S22T | D509S22T EUPEC MODULE | D509S22T.pdf |