창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPL60R360P6SATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPL60R360P6S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 370µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1010pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 89.3W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-ThinPak(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | IPL60R360P6SATMA1TR SP001163030 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPL60R360P6SATMA1 | |
| 관련 링크 | IPL60R360P, IPL60R360P6SATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 06035J1R0PBSTR\500 | 1pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J1R0PBSTR\500.pdf | |
![]() | ECQB1123JF | ECQB1123JF PAN DIP-2 | ECQB1123JF.pdf | |
![]() | 173851-1 | 173851-1 TYC SMD or Through Hole | 173851-1.pdf | |
![]() | PM5318-BI-P | PM5318-BI-P PMC BGA | PM5318-BI-P.pdf | |
![]() | HIF3BA-60D-2.54R | HIF3BA-60D-2.54R HRS HIF3BA-60D-2.54R | HIF3BA-60D-2.54R.pdf | |
![]() | LTC3406BES5#PBF | LTC3406BES5#PBF LT SOT23-5 | LTC3406BES5#PBF.pdf | |
![]() | 1206B106K100CT | 1206B106K100CT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206B106K100CT.pdf | |
![]() | 90842WI27Z | 90842WI27Z INTERSIL TSSOP14 | 90842WI27Z.pdf | |
![]() | EH09207-GY-V | EH09207-GY-V ORIGINAL NA | EH09207-GY-V.pdf | |
![]() | DF15C/6.2/-20DP-0.65V/56 | DF15C/6.2/-20DP-0.65V/56 HIROSE SMD or Through Hole | DF15C/6.2/-20DP-0.65V/56.pdf | |
![]() | UPD82548GL-002-NMU | UPD82548GL-002-NMU NEC QFP | UPD82548GL-002-NMU.pdf |