창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPL60R185C7AUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPL60R185C7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ C7 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 185m옴 @ 5.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 260µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1080pF @ 400V | |
전력 - 최대 | 77W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerTSFN | |
공급 장치 패키지 | PG-VSON-4 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001296238 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPL60R185C7AUMA1 | |
관련 링크 | IPL60R185, IPL60R185C7AUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SSM6L35FU(TE85L,F) | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 | SSM6L35FU(TE85L,F).pdf | ||
JK-SMD1210-035 | JK-SMD1210-035 JK SMD or Through Hole | JK-SMD1210-035.pdf | ||
cm3232x5r106k25at | cm3232x5r106k25at kyocera SMD or Through Hole | cm3232x5r106k25at.pdf | ||
4424GN | 4424GN ORIGINAL SOP-8 | 4424GN.pdf | ||
20037WR-02(P) | 20037WR-02(P) YEONHO SMD or Through Hole | 20037WR-02(P).pdf | ||
XC2VP20-5FGG67 | XC2VP20-5FGG67 XILINX BGA | XC2VP20-5FGG67.pdf | ||
AS1301AEHT | AS1301AEHT ORIGINAL TSOT23-5 | AS1301AEHT.pdf | ||
SH20-3.3-800 | SH20-3.3-800 SDC SMD or Through Hole | SH20-3.3-800.pdf | ||
M3777AVC | M3777AVC MITSUBISHI QFP | M3777AVC.pdf | ||
1N4553A | 1N4553A MSC SMD or Through Hole | 1N4553A.pdf | ||
TRF6001FGQE3R | TRF6001FGQE3R TIS SMD or Through Hole | TRF6001FGQE3R.pdf |