창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPL60R180P6AUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPL60R180P6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 750µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 176W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-PowerTSFN | |
공급 장치 패키지 | PG-VSON-4 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IPL60R180P6AUMA1TR SP001017098 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPL60R180P6AUMA1 | |
관련 링크 | IPL60R180, IPL60R180P6AUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 12065A272JAT2A | 2700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A272JAT2A.pdf | |
![]() | RT1206DRD0735R7L | RES SMD 35.7 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD0735R7L.pdf | |
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![]() | JRC422O | JRC422O JRC SOP8 | JRC422O.pdf | |
![]() | BLM03BD241SN1B | BLM03BD241SN1B muRata SMD or Through Hole | BLM03BD241SN1B.pdf | |
![]() | 350V22 | 350V22 ORIGINAL DIP | 350V22.pdf | |
![]() | BS-244LSM-G | BS-244LSM-G ORIGINAL SMD or Through Hole | BS-244LSM-G.pdf | |
![]() | SG200S-M | SG200S-M PANDUIT/WSI SMD or Through Hole | SG200S-M.pdf | |
![]() | LMB1028 | LMB1028 NATIONAL SOT-263-5 | LMB1028.pdf | |
![]() | GP1FH500TZ15 | GP1FH500TZ15 SHARP SMD or Through Hole | GP1FH500TZ15.pdf | |
![]() | AAT3510IGV-2.80-A-C-T1 | AAT3510IGV-2.80-A-C-T1 ANALOGIC SMD or Through Hole | AAT3510IGV-2.80-A-C-T1.pdf |