창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S2L05AKSA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2L-05 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001067948 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S2L05AKSA2 | |
관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S2L05AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MAL214869101E3 | 100µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | MAL214869101E3.pdf | ||
SMV1211-002 | SMV1211-002 SKYWORKS SOT-23 | SMV1211-002.pdf | ||
HTSN-M2.5-17-5-1 | HTSN-M2.5-17-5-1 RICHCOPLASTIC SMD or Through Hole | HTSN-M2.5-17-5-1.pdf | ||
D965SSG SOT-23 T/R | D965SSG SOT-23 T/R UTC SMD or Through Hole | D965SSG SOT-23 T/R.pdf | ||
CY7C1357C-100AXC | CY7C1357C-100AXC CYPRESS/PBF QFP | CY7C1357C-100AXC.pdf | ||
PIC18F6520-1/PT | PIC18F6520-1/PT ORIGINAL QFP | PIC18F6520-1/PT.pdf | ||
EM78P447SAMY | EM78P447SAMY ELAN SOP-28 | EM78P447SAMY.pdf | ||
CE1C331MKYANG | CE1C331MKYANG SANYO SMD or Through Hole | CE1C331MKYANG.pdf | ||
OS-9307 | OS-9307 ORIGINAL DIP | OS-9307.pdf | ||
SAF-C517A | SAF-C517A INFI QFP | SAF-C517A.pdf | ||
JRC2403DD | JRC2403DD JRC DIP-8 | JRC2403DD.pdf | ||
KAP29VG00B-A444 | KAP29VG00B-A444 SAMSUNG FBGA | KAP29VG00B-A444.pdf |