창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S204AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S2-04 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N04S2-04 IPI80N04S2-04-ND SP000219058 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N04S204AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N04S2, IPI80N04S204AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
NZX5V1B,133 | DIODE ZENER 5.1V 500MW ALF2 | NZX5V1B,133.pdf | ||
RNF14DTD4K87 | RES 4.87K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTD4K87.pdf | ||
C2012C0G1H121JT000A | C2012C0G1H121JT000A TDK SMD | C2012C0G1H121JT000A.pdf | ||
DC12.2102.001 | DC12.2102.001 SCHURTER SMD or Through Hole | DC12.2102.001.pdf | ||
5100/15C | 5100/15C IEWC SMD or Through Hole | 5100/15C.pdf | ||
P6SMB220A-E3/55 | P6SMB220A-E3/55 VISHAY SMD or Through Hole | P6SMB220A-E3/55.pdf | ||
SLA6430JIL | SLA6430JIL JAPAN PLCC | SLA6430JIL.pdf | ||
K77375 | K77375 NA SOP | K77375.pdf | ||
OSC 5032 22.1184M | OSC 5032 22.1184M ORIGINAL SMD or Through Hole | OSC 5032 22.1184M.pdf | ||
TS825CX5F | TS825CX5F TSC SOT23-5 | TS825CX5F.pdf | ||
MIC3232-1YMM | MIC3232-1YMM MICEL SMD or Through Hole | MIC3232-1YMM.pdf | ||
MB2245 | MB2245 PHILIPS QFP | MB2245.pdf |