창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI65R099C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R099C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 12.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 127nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2780pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI65R099C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI65R099, IPI65R099C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RC3216F2494CS | RES SMD 2.49M OHM 1% 1/4W 1206 | RC3216F2494CS.pdf | |
![]() | MCW0406MD1781BP100 | RES SMD 1.78K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD1781BP100.pdf | |
![]() | RP73D2B25R5BTDF | RES SMD 25.5 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B25R5BTDF.pdf | |
![]() | RT2512CKB07226RL | RES SMD 226 OHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB07226RL.pdf | |
![]() | AME88052EFT | AME88052EFT AME SOT-89 | AME88052EFT.pdf | |
![]() | HN62331AP | HN62331AP N/A DIP-32 | HN62331AP.pdf | |
![]() | F-P3WLD-A0 | F-P3WLD-A0 ORIGINAL SMD or Through Hole | F-P3WLD-A0.pdf | |
![]() | RN5VL22AA-TR / B2 | RN5VL22AA-TR / B2 RICOH SOT-153 | RN5VL22AA-TR / B2.pdf | |
![]() | IMST425B-G25S | IMST425B-G25S ST PGA | IMST425B-G25S.pdf | |
![]() | C1608X7R1H683KT000 | C1608X7R1H683KT000 TDK O603 | C1608X7R1H683KT000.pdf | |
![]() | 662ZA1 | 662ZA1 SIS BGA | 662ZA1.pdf | |
![]() | TA717AP | TA717AP TOS DIP | TA717AP.pdf |