창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI60R380C6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R380C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 3.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 320µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI60R380C6 IPI60R380C6-ND SP000660630 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI60R380C6XKSA1 | |
관련 링크 | IPI60R380, IPI60R380C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
TNPW080530K0BEEN | RES SMD 30K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080530K0BEEN.pdf | ||
Y145458K0708V0L | RES 58.0708K OHM 0.6W 0.005% RAD | Y145458K0708V0L.pdf | ||
APT1608-CHP63 TEL:82766440 | APT1608-CHP63 TEL:82766440 ORIGINAL SMD or Through Hole | APT1608-CHP63 TEL:82766440.pdf | ||
CAT24WC02W1-TE1 | CAT24WC02W1-TE1 ORIGINAL SMD or Through Hole | CAT24WC02W1-TE1.pdf | ||
JCY0216 | JCY0216 JVC BGA | JCY0216.pdf | ||
HMC437MS8G TEL:82766440 | HMC437MS8G TEL:82766440 HITTITE MSOP8 | HMC437MS8G TEL:82766440.pdf | ||
10SVPH56MAE | 10SVPH56MAE N/A SMD or Through Hole | 10SVPH56MAE.pdf | ||
FS1008-122M | FS1008-122M PREMO SMD or Through Hole | FS1008-122M.pdf | ||
STTH2003ST | STTH2003ST ST TO-220 | STTH2003ST.pdf | ||
JDV2S07 | JDV2S07 TOSHIBA fSC | JDV2S07.pdf | ||
HEF4071BD | HEF4071BD ORIGINAL SMD or Through Hole | HEF4071BD.pdf | ||
SG5L20USM | SG5L20USM Shindengen TO-220F | SG5L20USM.pdf |