창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI60R280C6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R280C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 430µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI60R280C6 IPI60R280C6-ND SP000687554 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI60R280C6XKSA1 | |
관련 링크 | IPI60R280, IPI60R280C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 402F40022IDR | 40MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F40022IDR.pdf | |
![]() | RMCF0805FT5K11 | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT5K11.pdf | |
![]() | TNPW12061K27BEEA | RES SMD 1.27K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW12061K27BEEA.pdf | |
![]() | BTA137-800 | BTA137-800 ST TO-220 | BTA137-800.pdf | |
![]() | MAX134EQH | MAX134EQH MAX PLCC | MAX134EQH.pdf | |
![]() | WS57C51C-45J | WS57C51C-45J WSI PLCC-32L | WS57C51C-45J.pdf | |
![]() | S60FFR08 | S60FFR08 Origin SMD or Through Hole | S60FFR08.pdf | |
![]() | QT371 | QT371 ATMEL QFN-20 | QT371.pdf | |
![]() | YRG06 | YRG06 ORIGINAL SMD or Through Hole | YRG06.pdf | |
![]() | MOS8727 | MOS8727 ORIGINAL DIP | MOS8727.pdf | |
![]() | ELXV800ETD470MH15D | ELXV800ETD470MH15D Chemi-con NA | ELXV800ETD470MH15D.pdf | |
![]() | SB120-PREHT/R | SB120-PREHT/R PANJIT SMD or Through Hole | SB120-PREHT/R.pdf |