Infineon Technologies IPI60R199CPXKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPI60R199CPXKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPI60R199CPXKSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,568.62200
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPI60R199CPXKSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPI60R199CPXKSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPI60R199CPXKSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPI60R199CPXKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPI60R199CPXKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI60R199CPXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPI60R199CP | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 660µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1520pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 139W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI60R199CP IPI60R199CP-ND IPI60R199CPX IPI60R199CPXK SP000103248 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI60R199CPXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI60R199, IPI60R199CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPI60R199CPXKSA1 의 관련 제품
 | SRU2013-3R3Y | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1A 135 mOhm Max Nonstandard | SRU2013-3R3Y.pdf | |
 | ISC1812ES5R6J | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 333mA 690 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES5R6J.pdf | |
 | PXV1220S-10DBN4-T | RF Attenuator 10dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-10DBN4-T.pdf | |
 | 939-070 | 939-070 BIV SMD or Through Hole | 939-070.pdf | |
| 2N3637JANTX | 2N3637JANTX MSC SMD or Through Hole | 2N3637JANTX.pdf | |
| 2SC2759-T1B/U23 | 2SC2759-T1B/U23 NEC SMD or Through Hole | 2SC2759-T1B/U23.pdf | |
| TC59R1809HK | TC59R1809HK TOSHIBA SMD or Through Hole | TC59R1809HK.pdf | |
| P227A-1 | P227A-1 TOS DIP4 | P227A-1.pdf | |
| UGF1A-TR30 | UGF1A-TR30 TAITRON SMA DO-214AC | UGF1A-TR30.pdf | |
| 209159003101116-CT | 209159003101116-CT AVX SMD or Through Hole | 209159003101116-CT.pdf | |
| BF2040RE6327 | BF2040RE6327 INFINEON SOT143 | BF2040RE6327.pdf | |
| KM684002BJI-10 | KM684002BJI-10 SAMSUNG SOJ36 | KM684002BJI-10.pdf |