창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI50R250CPXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPI50R250CP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 7.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 520µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1420pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 114W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI50R250CP IPI50R250CP-ND SP000523750 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI50R250CPXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI50R250, IPI50R250CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 445W25L25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 12pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25L25M00000.pdf | |
![]() | 1537-704K | 470nH Shielded Inductor 1.53A 62 mOhm Axial | 1537-704K.pdf | |
![]() | 1258AK3 343S0188-2 | 1258AK3 343S0188-2 LUCENT BGA | 1258AK3 343S0188-2.pdf | |
![]() | MC74F161AC1 | MC74F161AC1 MOT CLCC | MC74F161AC1.pdf | |
![]() | PS1008-390J-N | PS1008-390J-N ORIGINAL SMD or Through Hole | PS1008-390J-N.pdf | |
![]() | ACZ1005Y-800T002 | ACZ1005Y-800T002 TDK 0402-800 | ACZ1005Y-800T002.pdf | |
![]() | 2SD1727 | 2SD1727 MAT TO-3P | 2SD1727.pdf | |
![]() | BFQ71A | BFQ71A Phi DIP | BFQ71A.pdf | |
![]() | EBLS1608-R27M | EBLS1608-R27M MAX SMD or Through Hole | EBLS1608-R27M.pdf | |
![]() | K4D62323HA-QC55 | K4D62323HA-QC55 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4D62323HA-QC55.pdf | |
![]() | PQ1LA505MSPQ | PQ1LA505MSPQ SHARP SOT89-6 | PQ1LA505MSPQ.pdf |