창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI50R199CPXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPI50R199CP | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 660µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 139W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI50R199CP IPI50R199CP-ND SP000523756 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI50R199CPXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI50R199, IPI50R199CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TWM3J270E | RES 270 OHM 3W 5% RADIAL | TWM3J270E.pdf | |
![]() | S14-0881M5UBA1 | S14-0881M5UBA1 KYOCERA QFN-5 | S14-0881M5UBA1.pdf | |
![]() | STZ5.6N-T146 | STZ5.6N-T146 ROHM SOT23 | STZ5.6N-T146.pdf | |
![]() | C2012C0G1H470JT0DBA | C2012C0G1H470JT0DBA TDK SMD or Through Hole | C2012C0G1H470JT0DBA.pdf | |
![]() | K4B2G1646B-HCK0 | K4B2G1646B-HCK0 SAMSUNG BGA | K4B2G1646B-HCK0.pdf | |
![]() | ES4007F | ES4007F ESS QFP | ES4007F.pdf | |
![]() | 24-6040-6403 | 24-6040-6403 KES SMD or Through Hole | 24-6040-6403.pdf | |
![]() | TESVZD1E226M12R | TESVZD1E226M12R NEC D | TESVZD1E226M12R.pdf | |
![]() | RURD415S | RURD415S HARRIS SMD or Through Hole | RURD415S.pdf | |
![]() | LLL31MB11A225MA01L | LLL31MB11A225MA01L NULL NULL | LLL31MB11A225MA01L.pdf | |
![]() | 2N3969 | 2N3969 MOTOROLA CAN4 | 2N3969.pdf |