창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI45N06S4L08AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx45N06S4L-08 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 35µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI45N06S4L-08 IPI45N06S4L-08-ND SP000374333 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI45N06S4L08AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI45N06S4, IPI45N06S4L08AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 127LMX450M2CE | 120µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2.7631 Ohm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | 127LMX450M2CE.pdf | |
![]() | CPF0805B39R2E1 | RES SMD 39.2 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B39R2E1.pdf | |
![]() | GFB7440D | GFB7440D ORIGINAL DIP | GFB7440D.pdf | |
![]() | TR3D226M035E0250 | TR3D226M035E0250 VISHAY SMD | TR3D226M035E0250.pdf | |
![]() | TINY13V10SSU138 | TINY13V10SSU138 ATMEL SOP-8 | TINY13V10SSU138.pdf | |
![]() | 33P3736GE | 33P3736GE ORIGINAL SMD or Through Hole | 33P3736GE.pdf | |
![]() | DM9601N | DM9601N NS DIP-14 | DM9601N.pdf | |
![]() | B43474A4688M | B43474A4688M ORIGINAL SMD or Through Hole | B43474A4688M.pdf | |
![]() | HYB25D256160BC-7 | HYB25D256160BC-7 HYNIX TSOP | HYB25D256160BC-7.pdf | |
![]() | BPW16N 825nm | BPW16N 825nm vishay 2(620-960nm) | BPW16N 825nm.pdf | |
![]() | R5F2L36CMNFPV0 | R5F2L36CMNFPV0 RENESAS SMD or Through Hole | R5F2L36CMNFPV0.pdf |