창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI180N10N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx180N10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI180N10N3 G IPI180N10N3 G-ND IPI180N10N3G SP000683076 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI180N10N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI180N10N, IPI180N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | 5SR103ZAJCI | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | 5SR103ZAJCI.pdf | |
![]() | NE02103 | NE02103 HG SMD or Through Hole | NE02103.pdf | |
![]() | R3130N33EC-TR-F | R3130N33EC-TR-F RICOH SOT23 | R3130N33EC-TR-F.pdf | |
![]() | ML2253-326GAZ03B | ML2253-326GAZ03B OKI QFP44 | ML2253-326GAZ03B.pdf | |
![]() | GW5821/GW5821 | GW5821/GW5821 ORIGINAL DO-214B | GW5821/GW5821.pdf | |
![]() | AD5624BCP-REEL7 | AD5624BCP-REEL7 AD DFN10 | AD5624BCP-REEL7.pdf | |
![]() | B57621-C104-J 62 | B57621-C104-J 62 EPCOS SMD or Through Hole | B57621-C104-J 62.pdf | |
![]() | HA3--5002--5 | HA3--5002--5 INTERSIL SMD or Through Hole | HA3--5002--5.pdf | |
![]() | IRG4BH20K2S | IRG4BH20K2S IR TO-263 | IRG4BH20K2S.pdf |