창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI120N04S401AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx120N04S4-01 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 140µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 176nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI120N04S4-01 IPI120N04S4-01-ND SP000705722 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI120N04S401AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI120N04S, IPI120N04S401AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C103K4RACTU | 10000pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C103K4RACTU.pdf | |
![]() | CL10C100JB81PNC | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C100JB81PNC.pdf | |
![]() | 1206AA820JAT1A | 82pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206AA820JAT1A.pdf | |
![]() | 12N50 | 12N50 FCS SMD or Through Hole | 12N50.pdf | |
![]() | C346BA020PZ-TR | C346BA020PZ-TR TIS Call | C346BA020PZ-TR.pdf | |
![]() | ZTX653M1TA | ZTX653M1TA zetex SMD or Through Hole | ZTX653M1TA.pdf | |
![]() | TLP421BLW | TLP421BLW TOSHIBA DIP | TLP421BLW.pdf | |
![]() | ADM6317 | ADM6317 AD SOT23-5 | ADM6317.pdf | |
![]() | MAX4800CCM | MAX4800CCM MAXIM QFP | MAX4800CCM.pdf | |
![]() | 16C926-I/L | 16C926-I/L MICROCHIP SMD or Through Hole | 16C926-I/L.pdf |