창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI084N06L3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx084N06L3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001065242 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI084N06L3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPI084N06L, IPI084N06L3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
TNPW0805383RBEEN | RES SMD 383 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805383RBEEN.pdf | ||
CMF55360R00FKEK | RES 360 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55360R00FKEK.pdf | ||
OM7802/BGU7003/CMMB,598 | RF EVAL FOR BGU7003 | OM7802/BGU7003/CMMB,598.pdf | ||
P271KE-RDT | P271KE-RDT MARUWA SMD or Through Hole | P271KE-RDT.pdf | ||
MGB2462587V39 | MGB2462587V39 ORIGINAL SMD or Through Hole | MGB2462587V39.pdf | ||
ISL6260 | ISL6260 ISL QFN | ISL6260.pdf | ||
DTSM-62-T/R | DTSM-62-T/R DIPTRONICS SMD or Through Hole | DTSM-62-T/R.pdf | ||
KP4000A600V | KP4000A600V SanRexPak SMD or Through Hole | KP4000A600V.pdf | ||
RCT05104JTP | RCT05104JTP RALEC SMD or Through Hole | RCT05104JTP.pdf | ||
B4P-VH-B/LF | B4P-VH-B/LF JSTGMBH SMD or Through Hole | B4P-VH-B/LF.pdf | ||
0P747A | 0P747A AD SOP | 0P747A.pdf |