Infineon Technologies IPI076N12N3GAKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPI076N12N3GAKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPI076N12N3GAKSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,843.24800
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPI076N12N3GAKSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPI076N12N3GAKSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPI076N12N3GAKSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPI076N12N3GAKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPI076N12N3GAKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI076N12N3GAKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx076N12N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.6m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 130µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 101nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6640pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI076N12N3 G IPI076N12N3 G-ND IPI076N12N3G SP000652738 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI076N12N3GAKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI076N12N, IPI076N12N3GAKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPI076N12N3GAKSA1 의 관련 제품
 | ECH-U1C822JB5 | 8200pF Film Capacitor 16V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | ECH-U1C822JB5.pdf | |
 | 416F271X3ITR | 27.12MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X3ITR.pdf | |
 | 2201005-003BET8.366 | 2201005-003BET8.366 AMI PLCC | 2201005-003BET8.366.pdf | |
| URA4824D-10W | URA4824D-10W MORNSUN DIP | URA4824D-10W.pdf | |
| C5023CS-039 | C5023CS-039 NEC DIP22 | C5023CS-039.pdf | |
| SA57000-30D115 | SA57000-30D115 NXP n a | SA57000-30D115.pdf | |
| P89LPC903FD,112 | P89LPC903FD,112 NXP SMD or Through Hole | P89LPC903FD,112.pdf | |
| S-814A24AUC-BCK-T2G | S-814A24AUC-BCK-T2G SEIKO SOT89-5 | S-814A24AUC-BCK-T2G.pdf | |
| SCI-ATL 2000/745164 | SCI-ATL 2000/745164 ST TQFP | SCI-ATL 2000/745164.pdf | |
| T322C185K035AS | T322C185K035AS KEMET SMD or Through Hole | T322C185K035AS.pdf | |
| P917348 | P917348 NXP SMD or Through Hole | P917348.pdf | |
| MT47H128M8B7-37E ES:D | MT47H128M8B7-37E ES:D MICRON FBGA | MT47H128M8B7-37E ES:D.pdf |