창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD90N10S406ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD90N10S4-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001101896 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD90N10S406ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD90N10S4, IPD90N10S406ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SR155A3R3DAATR1 | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155A3R3DAATR1.pdf | |
![]() | 9C-16.000MAGJ-T | 16MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-16.000MAGJ-T.pdf | |
![]() | BZV55-C16,135 | DIODE ZENER 16V 500MW SOD80C | BZV55-C16,135.pdf | |
![]() | ABU125-050 | AC/DC CONVERTER 5V 70W | ABU125-050.pdf | |
![]() | CXP740010-103Q | CXP740010-103Q ORIGINAL QFP | CXP740010-103Q.pdf | |
![]() | DS1308-050 | DS1308-050 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS1308-050.pdf | |
![]() | V1321LLHLT-T | V1321LLHLT-T ORIGINAL SMD or Through Hole | V1321LLHLT-T.pdf | |
![]() | DF1BZ-12DP-2.5DS | DF1BZ-12DP-2.5DS HRS SMD or Through Hole | DF1BZ-12DP-2.5DS.pdf | |
![]() | LC78010-E | LC78010-E SANYO QFP | LC78010-E.pdf | |
![]() | LV5807MXL-TLM | LV5807MXL-TLM SANYO SOP-8 | LV5807MXL-TLM.pdf |