창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD90N04S3H4ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD90N04S3-H4 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 65µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD90N04S3-H4 IPD90N04S3-H4-ND SP000415584 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD90N04S3H4ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD90N04S3, IPD90N04S3H4ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| 50MS510MEFC6.3X5 | 10µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 50MS510MEFC6.3X5.pdf | ||
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![]() | CMF50357K00FKEK | RES 357K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50357K00FKEK.pdf | |
![]() | P51-300-A-U-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-A-U-I12-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | 5234G1C-ESC-A | 5234G1C-ESC-A elecsoundja 2009 | 5234G1C-ESC-A.pdf | |
![]() | TD54-1006L1 | TD54-1006L1 HAL SMD or Through Hole | TD54-1006L1.pdf | |
![]() | CY23F808OXI-05 | CY23F808OXI-05 CYP Call | CY23F808OXI-05.pdf | |
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![]() | PM10CTM060 | PM10CTM060 MITSUBIS SMD or Through Hole | PM10CTM060.pdf | |
![]() | MC10513/BEBJC | MC10513/BEBJC MOT CDIP16 | MC10513/BEBJC.pdf | |
![]() | AYBG1201W-TRB | AYBG1201W-TRB N/A SMD | AYBG1201W-TRB.pdf |