창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD80R2K8CEBTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80R2K8CE | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Halogen Part Status Rev 5/Aug/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD80R2K8CEBTMA1TR SP001100602 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD80R2K8CEBTMA1 | |
관련 링크 | IPD80R2K8, IPD80R2K8CEBTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
AA2010FK-076M8L | RES SMD 6.8M OHM 1% 3/4W 2010 | AA2010FK-076M8L.pdf | ||
MCU08050D4751BP100 | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D4751BP100.pdf | ||
5002LC | 5002LC NPC SOP | 5002LC.pdf | ||
ADS7822U/2K5G4 | ADS7822U/2K5G4 TI/BB SOP8 | ADS7822U/2K5G4.pdf | ||
CS7146EO | CS7146EO IC TSSOP16 | CS7146EO.pdf | ||
XPGWHT-01-3B0-R4-G-02 | XPGWHT-01-3B0-R4-G-02 CREE SMD or Through Hole | XPGWHT-01-3B0-R4-G-02.pdf | ||
G94-200-A1 | G94-200-A1 NVIDIA BGA | G94-200-A1.pdf | ||
CY7C1049CVcv33-15vi | CY7C1049CVcv33-15vi CYPRES soj | CY7C1049CVcv33-15vi.pdf | ||
516-280-201 | 516-280-201 EDAC/WSI SMD or Through Hole | 516-280-201.pdf | ||
NACY470M100V12.5X14TR13F | NACY470M100V12.5X14TR13F NICCOMP SMD | NACY470M100V12.5X14TR13F.pdf | ||
UPB7438C | UPB7438C ORIGINAL DIP | UPB7438C.pdf | ||
LDEIC2270JA0N00 | LDEIC2270JA0N00 ARCOTRONI SMD | LDEIC2270JA0N00.pdf |