창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD65R950CFDATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD65R950CFD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 36.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001117750 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD65R950CFDATMA1 | |
관련 링크 | IPD65R950C, IPD65R950CFDATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AC-21-33E-80.000000D | OSC XO 3.3V 80MHZ | SIT8008AC-21-33E-80.000000D.pdf | |
![]() | DP11SHN20A30F | DP11S HOR 20P NDET 30F M7*5MM | DP11SHN20A30F.pdf | |
![]() | RS1K-GSI-T | RS1K-GSI-T ORIGINAL 1808 | RS1K-GSI-T.pdf | |
![]() | 10ZLH470MHFC6.3X11 | 10ZLH470MHFC6.3X11 RUBYCON DIP | 10ZLH470MHFC6.3X11.pdf | |
![]() | SA2120AM | SA2120AM SAWNICS 3.0x3.0 | SA2120AM.pdf | |
![]() | M16N | M16N NS SOP | M16N.pdf | |
![]() | RN5RG33AA-TR-FA/K3ZS | RN5RG33AA-TR-FA/K3ZS RICOH SOT153 | RN5RG33AA-TR-FA/K3ZS.pdf | |
![]() | TIL113300 | TIL113300 FAIRCHILD ORIGINAL | TIL113300.pdf | |
![]() | FSM20C6 | FSM20C6 FUJI SMD or Through Hole | FSM20C6.pdf | |
![]() | SLA312TF0H | SLA312TF0H EPSON QFP | SLA312TF0H.pdf | |
![]() | K4S280432B-TC75 | K4S280432B-TC75 SAMSUNG TSOP54 | K4S280432B-TC75.pdf |