창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD60R385CPATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD60R385CP | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CP | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 385m옴 @ 5.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 340µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD60R385CPATMA1TR SP000680638 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD60R385CPATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD60R385, IPD60R385CPATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3808AC-DF-33EM-22.579200Y | OSC XO 3.3V 22.5792MHZ OE | SIT3808AC-DF-33EM-22.579200Y.pdf | |
| HS300 2R2 J | RES CHAS MNT 2.2 OHM 5% 300W | HS300 2R2 J.pdf | ||
![]() | TNPW0402118RBETD | RES SMD 118 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW0402118RBETD.pdf | |
![]() | 1676358-5 | RES SMD 4.42KOHM 0.1% 1/10W 0805 | 1676358-5.pdf | |
![]() | RK09K1110B1R.RK09K1110B26 | RK09K1110B1R.RK09K1110B26 ALPS SMD or Through Hole | RK09K1110B1R.RK09K1110B26.pdf | |
![]() | LM508H | LM508H NS CAN8 | LM508H.pdf | |
![]() | MLK1005S6N8S | MLK1005S6N8S TDK SMD or Through Hole | MLK1005S6N8S.pdf | |
![]() | BHT-3285 | BHT-3285 SANYO CYSTAL | BHT-3285.pdf | |
![]() | BA-0512D | BA-0512D BOTHHAN DIP | BA-0512D.pdf | |
![]() | LT1961EMS8EPBF | LT1961EMS8EPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1961EMS8EPBF.pdf |