창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD60R1K4C6ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD60R1K4C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ C6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 28.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD60R1K4C6ATMA1-ND IPD60R1K4C6ATMA1TR SP001292870 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD60R1K4C6ATMA1 | |
관련 링크 | IPD60R1K4, IPD60R1K4C6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
TNPW0402430RBETD | RES SMD 430 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW0402430RBETD.pdf | ||
HRG3216P-3001-B-T1 | RES SMD 3K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-3001-B-T1.pdf | ||
3198Y | 3198Y KEC TO-92 | 3198Y.pdf | ||
MMSD103BT1G | MMSD103BT1G ON SOD-123 | MMSD103BT1G.pdf | ||
D2815ER | D2815ER SONY QFN | D2815ER.pdf | ||
NJM3771FM2/D2 | NJM3771FM2/D2 JRC PLCC28 | NJM3771FM2/D2.pdf | ||
UPD78F0148M1GK-9EU | UPD78F0148M1GK-9EU NEC SMD or Through Hole | UPD78F0148M1GK-9EU.pdf | ||
HD647180XRFS6 | HD647180XRFS6 RENESAS SMD or Through Hole | HD647180XRFS6.pdf | ||
KE457U2777TFP | KE457U2777TFP ORIGINAL SMD or Through Hole | KE457U2777TFP.pdf | ||
XTNETV2685ZUT | XTNETV2685ZUT DSP BGA | XTNETV2685ZUT.pdf | ||
LC40642ZC 75MN6 | LC40642ZC 75MN6 Lattice BGA | LC40642ZC 75MN6.pdf | ||
XC61AN6702MR | XC61AN6702MR TOREX SOT-23 | XC61AN6702MR.pdf |