Infineon Technologies IPD60R1K4C6
- 제조업체 부품 번호
- IPD60R1K4C6
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
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IPD60R1K4C6 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD60R1K4C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD60R1K4C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 단종/ EOL | Halogen Free Upgrade 15/Jun/2015 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 1.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 28.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD60R1K4C6BTMA1 IPD60R1K4C6TR SP000799134 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD60R1K4C6 | |
| 관련 링크 | IPD60R, IPD60R1K4C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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