창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD50R800CEATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD50R800CE | |
PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 1.5A, 13V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 130µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD50R800CEATMA1-ND IPD50R800CEATMA1TR SP001117710 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD50R800CEATMA1 | |
관련 링크 | IPD50R800, IPD50R800CEATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SMBJ17CA-M3/5B | TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO-215AA | SMBJ17CA-M3/5B.pdf | |
![]() | 916C191X2TR | 916C191X2TR N/A DIP16 | 916C191X2TR.pdf | |
![]() | SST25LF080A-33-4E-S2 | SST25LF080A-33-4E-S2 SST SOP-8 | SST25LF080A-33-4E-S2.pdf | |
![]() | Z416400A-60DR | Z416400A-60DR TI SOJ | Z416400A-60DR.pdf | |
![]() | TB62710FN | TB62710FN TOSHBIA SSOP20 | TB62710FN.pdf | |
![]() | MT8816AE (DIP) | MT8816AE (DIP) ZARLINK SMD or Through Hole | MT8816AE (DIP).pdf | |
![]() | S3942S | S3942S AD SOP | S3942S.pdf | |
![]() | ICD2025SC1TR | ICD2025SC1TR ics SMD or Through Hole | ICD2025SC1TR.pdf | |
![]() | M29W320DT-90N6 | M29W320DT-90N6 ST TSOP | M29W320DT-90N6.pdf | |
![]() | XR3588 | XR3588 XR CDIP | XR3588.pdf | |
![]() | MRF6S21140Ha | MRF6S21140Ha MOTO SMD or Through Hole | MRF6S21140Ha.pdf | |
![]() | COP47ON | COP47ON NS DIP | COP47ON.pdf |