창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50N06S2L13ATMA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD50N06S2L-13 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.7m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 80µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001063626 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50N06S2L13ATMA2 | |
| 관련 링크 | IPD50N06S2, IPD50N06S2L13ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RT0603DRD07442RL | RES SMD 442 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07442RL.pdf | |
![]() | Y14803R33330B129L | RES 3.3333 OHM 10W 0.1% RADIAL | Y14803R33330B129L.pdf | |
![]() | APL5708R-33VC | APL5708R-33VC ANPEC SOT-223 | APL5708R-33VC.pdf | |
![]() | 2403BCJ | 2403BCJ XP PLCC | 2403BCJ.pdf | |
![]() | LT3663HMS8E-3.3 | LT3663HMS8E-3.3 LT 8-MSOP | LT3663HMS8E-3.3.pdf | |
![]() | XC5210PQ208-3C | XC5210PQ208-3C XILINX QFP | XC5210PQ208-3C.pdf | |
![]() | DA210 | DA210 ORIGINAL SMD or Through Hole | DA210.pdf | |
![]() | MAX8877EUK32 | MAX8877EUK32 MAXIM SOT23-5 | MAX8877EUK32.pdf | |
![]() | TT36N1200 | TT36N1200 ST SMD or Through Hole | TT36N1200.pdf | |
![]() | HBAV99XLT1G | HBAV99XLT1G ORIGINAL SOT-23 | HBAV99XLT1G.pdf | |
![]() | 1N829-1-2 | 1N829-1-2 MICROSEMI SMD | 1N829-1-2.pdf | |
![]() | HFM305L-W | HFM305L-W RECTRON SMCL | HFM305L-W.pdf |