창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD50N04S4L08ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD50N04S4L-08 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 17µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2340pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 46W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD50N04S4L-08 IPD50N04S4L-08-ND SP000711456 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD50N04S4L08ATMA1 | |
관련 링크 | IPD50N04S4, IPD50N04S4L08ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SK1035-TP | DIODE SCHOTTKY 35V 10A DO214AB | SK1035-TP.pdf | ||
NTLGF3501NT2G | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN | NTLGF3501NT2G.pdf | ||
HA11433 | HA11433 HIT DIP | HA11433.pdf | ||
BAT754L.115 | BAT754L.115 NXP SOT-363 | BAT754L.115.pdf | ||
HK4100F-DC3V-SHG | HK4100F-DC3V-SHG ORIGINAL DIP | HK4100F-DC3V-SHG.pdf | ||
SBS0603-3R3M-LF | SBS0603-3R3M-LF coilmaster NA | SBS0603-3R3M-LF.pdf | ||
LITEON DVDROM MODULE | LITEON DVDROM MODULE UNKNOWN SMD or Through Hole | LITEON DVDROM MODULE.pdf | ||
74LVQ10 | 74LVQ10 ST SOP-14 | 74LVQ10.pdf | ||
XC4036XLPG411-4C | XC4036XLPG411-4C XILINX PGA | XC4036XLPG411-4C.pdf | ||
3313X-2-253E | 3313X-2-253E BOURNS SMD or Through Hole | 3313X-2-253E.pdf | ||
71V416S15PH8 | 71V416S15PH8 IDT SMD or Through Hole | 71V416S15PH8.pdf |